参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPW60R099C6FKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO247-3 PG-TO247-3 TO-247 16.13mm 16.13x5.21x21.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	640 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	37.9A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	119nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2660pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	278W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	99 毫欧 @ 18.1A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO247-3
封装/外壳	PG-TO247-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	38 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	99 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	278W
典型接通延迟时间	15 ns
典型关断延迟时间	75 ns
漏源极电压Vds	2660 pF@ 100 V
晶体管材料	Si
最高工作温度	+150 °C
高度	21.1mm
系列	CoolMOS C6
宽度	5.21mm
最低工作温度	-55 °C
长度	16.13mm
封装/外壳	16.13 x 5.21 x 21.1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms