参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPW50R280CEFKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO247-3 PG-TO247-3 TO-247 16.13mm 16.13x5.21x21.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	13A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	32.6nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	773pF @ 100V
FET类型	超级结
Pd-功率耗散(Max)	92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	280 毫欧 @ 4.2A,13V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO247-3
封装/外壳	PG-TO247-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	13 A
漏源极电压Vds	550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	280 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	92W
最低工作温度	-55 °C
长度	16.13mm
高度	21.1mm
正向二极管电压	0.85V
系列	CoolMOS CE
封装/外壳	16.13 x 5.21 x 21.1mm
最高工作温度	+150 °C
漏源极电压Vds	773 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	8 ns
宽度	5.21mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si