参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPU60R1K5CEAKMA2
说明	通用MOSFET   PG-TO251-3 PG-TO251
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	153 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	CoolMOS™ CE
连续漏极电流Id	3.1A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 90µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	49W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 Ohms@1.1A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5A
漏源极电压Vds	600V
封装/外壳	PG-TO251