参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPS80R1K4P7AKMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO251-3 PG-TO251-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	176 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	CoolMOS™
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 700µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	32W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.4Ω@1.4A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
漏源极电压Vds	800V
封装/外壳	PG-TO251-3