参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP90R800C3
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	320 [库存更新时间：2025-04-12]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	900V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 460µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	42nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	6.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	800mΩ
栅极电压Vgs	20V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	104W
高度	15.65mm
长度	10mm
系列	CoolMOSC3
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
下降时间	32ns
上升时间	20ns
典型关闭延迟时间	400ns
典型接通延迟时间	70ns