参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP80N08S2L07AKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 TO-220 10.36mm 10.36x4.57x15.95mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	639 [库存更新时间：2024-05-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	75V
连续漏极电流Id	80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	233nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5400pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.1 毫欧 @ 80A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3-1
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	75 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.8 m0hms
栅极电压Vgs	2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	300W
典型接通延迟时间	19 ns
典型关断延迟时间	85 ns
漏源极电压Vds	5400 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	OptiMOS
最高工作温度	+175 °C
宽度	4.57mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
长度	10.36mm
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 15.95mm
高度	15.95mm