参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP60R600C6
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1288 [库存更新时间：2025-04-04]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	600V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20.5nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	7.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	600mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	20.5nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	63W
高度	15.65mm
长度	10mm
系列	CoolMOSC6
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
下降时间	13ns
上升时间	9ns
典型关闭延迟时间	80ns
典型接通延迟时间	12ns