参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP60R199CPXKSA1
说明	功率MOSFET   TO-220-3
起订量	50
最小包	50
现货	509 [库存更新时间：2024-04-30]
25°C时电流-连续漏极(Id)	16A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	199 毫欧 @ 9.9A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3.5V @ 660uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	1520pF @ 100V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	43nC @ 10V
功率耗散(最大值)	139W(Tc)
封装/外壳	TO-220-3
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	650V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V