参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP50R500CEXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 TO-220 10.36x4.57x15.95mm 10.36mm
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2024-05-08]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	7.6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18.7nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	433pF @ 100V
FET类型	超级结
Rds On(Max)@Id,Vgs	500 毫欧 @ 2.3A,13V
封装/外壳	PG-TO220-3-1
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7.6 A
漏源极电压Vds	550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	520 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	57W
最低工作温度	-55 °C
正向二极管电压	0.85V
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 15.95mm
宽度	4.57mm
系列	CoolMOS CE
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	433 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	30 ns
典型接通延迟时间	6 ns
最高工作温度	+150 °C
长度	10.36mm
高度	15.95mm