参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP50R350CPXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3-1 PG-TO220-3
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2024-06-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	550V
连续漏极电流Id	10A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 370µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1020pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
Pd-功率耗散(Max)	89W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	350 毫欧 @ 5.6A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3-1
封装/外壳	PG-TO220-3