参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP120N20NFDAKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3 PG-TO-220-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	1
现货	1697 [库存更新时间：2025-04-03]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6650pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12 毫欧 @ 84A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	84A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	87nC @ 10V
漏源极电压Vds	200V
封装/外壳	PG-TO-220-3