参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP048N04NGXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO-220-3 PG-TO220-3 TO-220 10.363x4.572x15.95mm 10.36mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	70A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	41nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3300pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.8 毫欧 @ 70A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO-220-3
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	70 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.8 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	79W
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C
高度	15.95mm
正向跨导	56S
正向二极管电压	0.89V
系列	OptiMOS 3
封装/外壳	10.363 x 4.572 x 15.95mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2500 pF @ 20 V
典型关断延迟时间	19 ns
典型接通延迟时间	13 ns
宽度	4.572mm
长度	10.36mm