参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPN70R1K5CEATMA1
说明	通用MOSFET   PG-SOT223 PG-SOT223-3 SOT-223 6.7x3.7x1.7mm 6.7mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	637 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	700V
连续漏极电流Id	5.4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	225pF @ 100V
FET类型	超级结
Pd-功率耗散(Max)	5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 欧姆 @ 1A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT223
封装/外壳	PG-SOT223-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5.4 A
漏源极电压Vds	750 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SOT-223
引脚数目	3+Tab
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	5W
正向二极管电压	0.9V
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.7 x 3.7 x 1.7mm
宽度	3.7mm
高度	1.7mm
系列	CoolMOS CE
漏源极电压Vds	225 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	7.7 ns
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	6.7mm