参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPN50R2K0CEATMA1
说明	通用MOSFET   PG-SOT223 PG-SOT223-3 SOT-223 6.7x3.7x1.7mm 6.7mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	637 [库存更新时间：2024-04-28]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	3.6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	124pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 欧姆 @ 600mA,13V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT223
封装/外壳	PG-SOT223-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	3.6 A
漏源极电压Vds	550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SOT-223
引脚数目	3+Tab
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	5W
正向二极管电压	0.83V
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.7 x 3.7 x 1.7mm
系列	CoolMOS CE
漏源极电压Vds	124 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	6 ns
宽度	3.7mm
高度	1.7mm
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	6.7mm