参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPL65R190E6AUMA1
说明	通用MOSFET   PG-VSON-4 PG-VSON-4 VSON 8.1mm 8.1x8.1x1.1mm
起订量	3
最小包	3
现货	415 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	20.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	73nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1620pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	151W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 毫欧 @ 7.3A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-VSON-4
封装/外壳	PG-VSON-4
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20.2 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	VSON
晶体管配置	单
引脚数目	5
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	151W
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-40 °C
长度	8.1mm
高度	1.10mm
正向二极管电压	0.9V
系列	CoolMOS E6
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1620 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	112 ns
典型接通延迟时间	12 ns
封装/外壳	8.1 x 8.1 x 1.1mm