参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPL60R299CP
说明	功率MOSFET   8mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6288 [库存更新时间：2025-04-16]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 100V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 10V
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11.1A
Rds On(Max)@Id,Vgs	299mΩ
栅极电压Vgs	2.5V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	96W
高度	1.10mm
长度	8mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
下降时间	5ns
典型关闭延迟时间	40ns
典型接通延迟时间	10ns