参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPI80N03S4L03AKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO262-3 PG-TO262-3 I2PAK(TO-262) 10.36mm 10.36x4.52x9.45mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-14]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	140nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9750pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.7毫欧 @ 80A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3
封装/外壳	PG-TO262-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.4 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-16 V、+16 V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	136W
长度	10.36mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.52 x 9.45mm
宽度	4.52mm
系列	OptiMOS T2
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	7500 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	62 ns
典型接通延迟时间	14 ns
最低工作温度	-55 °C
高度	9.45mm
最高工作温度	+175 °C