| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IPG20N04S4-08n: |
| 说明 | 功率MOSFET 5.9mm |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 394 [库存更新时间：2025-04-13] |
| 通道数量 | 2Channel |
| 漏源极电压Vds | 40V |
| 连续漏极电流Id | 20A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.6mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散(Max) | 65W |
| 高度 | 1.27mm |
| 长度 | 5.9mm |
| 系列 | OptiMOS-T2 |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 宽度 | 5.15mm |
IC普拉斯 元器件现货