参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD80R4K5P7ATMA1
说明	通用MOSFET   TO-252 PG-TO252-3 DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.41mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	1.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	80pF @ 500V
FET类型	超级结
Pd-功率耗散(Max)	13W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.5 옴 @ 400mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	1.5 A
漏源极电压Vds	800 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.5 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	13W
典型接通延迟时间	15 ns
典型关断延迟时间	60 ns
漏源极电压Vds	80 pF @ 500 V
系列	CoolMOS P7
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	6.22mm
长度	6.73mm
高度	2.41mm
正向二极管电压	0.9V
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
最高工作温度	+150 °C