参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD80R280P7ATMA1
说明	通用MOSFET   TO-252 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	17A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 360µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	36nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1200pF @ 500V
FET类型	超级结
Pd-功率耗散(Max)	101W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	280 毫欧 @ 7.2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252
封装/外壳	PG-TO252-3