参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD80R1K0CE
说明	功率MOSFET   6.5mm DPAK(TO-252)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5241 [库存更新时间：1970-01-01]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	31nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	83W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	CoolMOSCE
宽度	6.22mm
下降时间	8ns
上升时间	15ns
典型关闭延迟时间	72ns
典型接通延迟时间	25ns
Moisture Level	1 Ohms
RthJC max	1.5 K/W
QG (typ @10V)	31.0 nC
封装/外壳	DPAK (TO-252)
Rth	1.5K/W
QG	31.0 nC
连续漏极电流Id	5.7A
Budgetary Price €€/1k	0.49
Ptot max	83.0W
Ptot max	83.0 W
FET类型	N-Channel
IDpuls max	18.0 A
漏源极电压Vds	800V
Pin Count	3.0 Pins
RthJA max	62.0K/W
Mounting	SMT
RthJC max	1.5K/W
RthJA max	62.0 K/W
Special Features	price/performance
栅极电压Vgs	2.1V,3.9V
Rds On(Max)@Id,Vgs	950mΩ
工作温度	-55°C~150°C