参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD65R250E6XTMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 DPAK PG-TO252-3
起订量	2
最小包	2
现货	413 [库存更新时间：2025-04-05]
系列	CoolMOS™ E6
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	16.1A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 400µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	45nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	950pF @ 1000V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	208W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	250m Ohms@4.4A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	700V
连续漏极电流Id	16.1A
封装/外壳	PG-TO252-3