参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD60R600E6
说明	功率MOSFET   6.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2025-04-08]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20.5nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	7.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	540mΩ
栅极电压Vgs	20V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	63W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	CoolMOSE6
FET类型	N-Channel
宽度	6.22mm
漏源极电压Vds	600V