参数	值
产品	未分类
型号编码	IPD530N15N3GBTMA1
说明	未分类   PG-TO252-3 TO-252-3
起订量	2
最小包	2
现货	413 [库存更新时间：2024-06-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	150V
连续漏极电流Id	21A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	8V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	887pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	75V
功率	68W
Rds On(Max)@Id,Vgs	53 毫欧 @ 18A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3