| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IPD50R950CE |
| 说明 | 功率MOSFET 6.5mm DPAK(TO-252) |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5239 [库存更新时间:2026-02-10] |
| 通道数量 | 1Channel |
| Qg-栅极电荷 | 10.5nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 53W |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 系列 | XPD50R950 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 下降时间 | 19.5ns |
| 上升时间 | 4.9ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25ns |
| 典型接通延迟时间 | 7ns |
| Moisture Level | 3 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 950mΩ |
| 漏源极电压Vds | 500V |
| 连续漏极电流Id | 4.3A |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Rth | 3.7K/W |
| QG | 10.5nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.27 |
| Ptot max | 34.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins |
| RthJA max | 62.0K/W |
| Mounting | SMT |
| RthJC max | 3.7K/W |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
| 工作温度 | -55°C~150°C |


