参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD33CN10NGATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2024-06-01]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	27A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 29µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1570pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	58W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	33m Ohms@27A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3