参数	值
产品	未分类
型号编码	IPD26N06S2L35ATMA1
说明	未分类   PG-TO252-3 TO-252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
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现货	291 [库存更新时间：2024-05-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	30A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	621pF @ 25V
功率	68W
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 毫欧 @ 13A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3