参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD200N15N3GATMA1
说明	通用MOSFET   DPAK PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	153 [库存更新时间：2025-04-05]
系列	OptiMOS™
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	8V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 90µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	31nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1820pF @ 75V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	20m Ohms@50A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	50A
漏源极电压Vds	150V
封装/外壳	PG-TO252-3