参数	值
产品	未分类
型号编码	IPD096N08N3GBTMA1
说明	未分类   PG-TO252-3 TO-252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
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现货	291 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	73A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2410pF @ 40V
功率	100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.6 毫欧 @ 46A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3