参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD082N10N3 G
说明	功率MOSFET   6.5mm DPAK(TO-252)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2025-04-15]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	55nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	125W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
宽度	6.22mm
正向跨导 - 最小值	45S
下降时间	8ns
上升时间	42ns
典型关闭延迟时间	31ns
典型接通延迟时间	18ns
Moisture Level	1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.2mΩ
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	80A
RthJC max	1.2 K/W
QG (typ @10V)	42.0 nC
封装/外壳	DPAK (TO-252)
Budgetary Price €€/1k	0.58
Ptot max	125.0W
FET类型	N-Channel
Pin Count	3.0 Pins
RthJA max	62.0K/W
Mounting	SMD
Coss	523.0pF
Ciss	2990.0pF
栅极电压Vgs	2.7V,2V,3.5V
工作温度	-55°C~175°C