参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD040N03LGBTMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3-11 TO-252-3 DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.41mm 6.73mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	90A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	38nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3900pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3-11
封装/外壳	TO-252-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	90 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.9 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
Pd-功率耗散(Max)	79W
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
系列	OptiMOS 3
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2900 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	27 ns
典型接通延迟时间	7.4 ns
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
长度	6.73mm
最高工作温度	+175 °C
高度	2.41mm