参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB80N03S4L03ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.312x9.45x4.572mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	75nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5100pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.3 毫欧 @ 80A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3-2
封装/外壳	PG-TO263-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.005 0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-16 V、+16 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	94W
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	10.31mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	4.572mm
正向二极管电压	1.3V
宽度	9.45mm
封装/外壳	10.312 x 9.45 x 4.572mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	4000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	37 ns
典型接通延迟时间	9 ns
系列	OptiMOS T2