参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB60R160P6ATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x4.57x9.45mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	23.8A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 750µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	44nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2080pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	176W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	160 毫欧 @ 9A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	23.8 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	160 m0hms
栅极电压Vgs	4.5V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	176W
典型接通延迟时间	12.5 ns
典型关断延迟时间	40 ns
漏源极电压Vds	2080 pF @ 100 V
系列	CoolMOS P6
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	4.57mm
长度	10.31mm
高度	9.45mm
正向二极管电压	0.9V
封装/外壳	10.31 x 4.57 x 9.45mm
最高工作温度	+150 °C