参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB60R099CP
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	321 [库存更新时间：2025-11-26]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2800pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	600V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	80nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	31A
Rds On(Max)@Id,Vgs	90mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	80nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	255W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
下降时间	5ns
典型关闭延迟时间	60ns
典型接通延迟时间	10ns