参数	值
产品	未分类
型号编码	IPB45N04S4L08ATMA1
说明	未分类   PG-TO263-3-2 PG-TO263-3
品牌	Infineon(英飞凌)
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现货	291 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	45A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 17µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
栅极电压Vgs	+20V,-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2340pF @ 25V
功率	45W
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.6 毫欧 @ 45A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3-2
封装/外壳	PG-TO263-3