参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPB117N20NFD |
说明 | 功率MOSFET 10mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2287 [库存更新时间:2025-04-08] |
通道数量 | 1Channel |
漏源极电压Vds | 200V |
连续漏极电流Id | 84A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.3mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 87nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 300W |
高度 | 4.4mm |
长度 | 10mm |
系列 | OptiMOSFastDiode |
FET类型 | N-Channel |
宽度 | 9.25mm |
正向跨导 - 最小值 | 70S |
下降时间 | 8ns |
上升时间 | 10ns |
典型关闭延迟时间 | 24ns |
典型接通延迟时间 | 13ns |
工作温度 | -55°C~175°C |