参数	值
产品	未分类
型号编码	IPB10N03LB
说明	未分类   PG-TO263-3 TO-263-4
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现货	434 [库存更新时间：2024-04-27]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1639pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
功率	58W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.6 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3
封装/外壳	TO-263-4