参数	值
产品	未分类
型号编码	SPD50N03S207GBTMA1
说明	未分类   PG-TO252-3 PG-TO252-3
起订量	2
最小包	2
现货	441 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	46.5nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2170pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	136W
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.3 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3