| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | IPB049NE7N3GATMA1 |
| 说明 | 通用MOSFET D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 291 [库存更新时间：2025-04-04] |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 75V |
| 连续漏极电流Id | 80A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.8V @ 91µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4750pF @ 37.5V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.9 毫欧 @ 80A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D²PAK(TO-263AB) |
| 封装/外壳 | PG-TO263-3 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 37.5V |
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