| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | IPB019N08N3G |
| 说明 | 未分类 PG-TO263-7 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 409 [库存更新时间：2025-04-09] |
| 安装 | SMD |
| 封装/外壳 | PG-TO263-7 |
| 开启状态电阻 | 1.9m Ohms |
| FET类型 | N-MOSFET |
| 极化 | 单极 |
| 栅极-源极电压 | ±20V |
| 漏极-源极电压 | 80V |
| 漏极电流 | 180A |
| 耗电 | 300W |
IC普拉斯 元器件现货
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | IPB019N08N3G |
| 说明 | 未分类 PG-TO263-7 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 409 [库存更新时间：2025-04-09] |
| 安装 | SMD |
| 封装/外壳 | PG-TO263-7 |
| 开启状态电阻 | 1.9m Ohms |
| FET类型 | N-MOSFET |
| 极化 | 单极 |
| 栅极-源极电压 | ±20V |
| 漏极-源极电压 | 80V |
| 漏极电流 | 180A |
| 耗电 | 300W |