参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB080N03LGATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1900pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	47W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V