参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB015N08N5ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-7 PG-TO263-7
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	180A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.8V @ 279µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	222nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	16900pF @ 40V
Pd-功率耗散(Max)	375W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 毫欧 @ 100A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-7
封装/外壳	PG-TO263-7
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	40V