参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPA60R180P7XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3 PG-TO220整包
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	1
现货	962 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	26W(Tc)
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1081pF @ 400V
Rds On(Max)@Id,Vgs	180 mOhm @ 5.6A, 10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	18A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 280µA
漏源极电压Vds	650V
Rds On(Max)@Id,Vgs	180 毫欧 @ 5.6A,10V
封装/外壳	PG-TO220 整包