参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPA126N10N3GXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-FP PG-TO220-3 TO-220FP 10.65x4.85x16.15mm 10.65mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	35A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2500pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	33W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.6 毫欧 @ 35A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-FP
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	35 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	24 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220FP
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	33W
高度	16.15mm
正向跨导	50S
系列	OptiMOS 3
正向二极管电压	1.2V
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1880 pF @ 50 V
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	12 ns
宽度	4.85mm
封装/外壳	10.65 x 4.85 x 16.15mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	10.65mm