| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | HP8S36TB |
| 说明 | 功率MOSFET 8-HSOP |
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 246 [库存更新时间：2025-04-13] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 27A,80A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4mΩ@32A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6100pF @ 15V |
| Pd-功率耗散(Max) | 29W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-HSOP |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsHP8S36TB
产品概述
相关产品