参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | FQA32N20C |
说明 | 通用MOSFET TO-3P-3,SC-65-3 TO-3PN |
起订量 | 30 |
最小包 | 30 |
现货 | 455 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | QFET® |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 32A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2220pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±30V |
Pd-功率耗散(Max) | 204W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 82m Ohms@16A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/外壳 | TO-3PN |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 200V |
连续漏极电流Id | 32A |