参数	值
产品	未分类
型号编码	NVMFD5853NLT1Gn
说明	未分类   8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称) DFN
起订量	1
最小包	1
现货	397 [库存更新时间：2024-05-11]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
Rds On(Max)@Id,Vgs	10 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 25V
功率	3W
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称)
封装/外壳	DFN
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	12A