参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	FDN352AP
说明	小信号MOSFET   2.9mm SuperSOT
品牌	Fairchild(仙童)
起订量	0
最小包	0
现货	172 [库存更新时间：2024-05-17]
系列	FDN
高度	1.12 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.4 mm
零件号别名	FDN352AP_NL
配置	Single
典型接通延迟时间	4 ns
上升时间	15 ns
通道数量	1 Channel
典型关闭延迟时间	10 ns
正向跨导-最小值	2 S
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	1.9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 15V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	180mΩ@1.3A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SuperSOT
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	1.3A