参数	值
产品	未分类
型号编码	FCH190N65F_F155
说明	未分类   TO-247 15.87mm 15.87x4.82x20.82mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	535 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	208 W
典型接通延迟时间	25 ns
典型关断延迟时间	62 ns
漏源极电压Vds	2425 pF @ 100 V
晶体管材料	Si
系列	SuperFET II
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	4.82mm
最高工作温度	+150 °C
长度	15.87mm
高度	20.82mm
封装/外壳	15.87 x 4.82 x 20.82mm
最低工作温度	-55 °C