参数	值
产品	未分类
型号编码	FCP190N60_GF102
说明	未分类   TO-220 10.36mm 10.36x4.672x15.215mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	535 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	199 m0hms
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
功率	208 W
典型关断延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	20 ns
宽度	4.672mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
漏源极电压Vds	2220 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	SuperFET II
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
高度	15.215mm
长度	10.36mm
封装/外壳	10.36 x 4.672 x 15.215mm